SK 海力士在其12-Hi HBM3e内存芯片上增加了四层，将容量从 36 GB 提高到 48 GB，并计划于 2025 年推出这款 16-Hi 产品的样品。

到目前为止，所有 HBM3e 芯片最多都有 12 层，据悉 16 层 HBM 将在未来一两年内与HBM4标准一起问世。SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 在首尔 SK AI 峰会的主题演讲中透露了 16-Hi 技术。

高带宽内存(HBM) 堆叠内存芯片并通过插入器单元（而不是通过插槽系统）将它们连接到处理器，以此来增加内存到处理器的带宽。此标准的最新一代是扩展 HBM3 (HBM3e)。

即将推出的 HBM4 标准与 HBM3e 的不同之处在于，HBM4 预计每针 10 Gbps 以上，而 HBM3e 的最大速度为每针 9.2 Gbps。这意味着堆栈带宽约为 1.5 TBps，而 HBM3e 为 1.2 TBps 以上。HBM4 可能支持比 HBM3e 更高的容量，可能高达 64 GB，并且延迟也更低。据报道，Nvidia的 Jensen Huang 已要求 SK 海力士比计划提前 6 个月交付 HBM4 芯片。SK 集团董事长崔泰源表示，这些芯片将于 2025 年下半年交付。

根据 SK 海力士的内部测试，16-Hi HBM3e 芯片在 GenAI 训练中的性能提升了 18%，在推理中的性能提升了 32%，而 12-Hi 产品则没有如此大的提升。

SK hynix 的 16-Hi 产品采用 MR-MUF（大规模回流成型底部填充）技术制造。该技术结合了回流和成型工艺，通过熔化芯片之间的凸块将半导体芯片连接到电路上，并用一种称为液态环氧模塑料 (EMC) 的材料填充芯片之间的空间和凸块间隙。这提高了堆栈的耐用性和散热性。

SK 海力士首席执行官谈到了该公司的更多内存开发：

适用于 PC 的 LPCAMM2 模块
基于 1c nm 的 LPDDR5 和 LPDDR6 内存
PCIe 第六代 SSD
大容量 QLC 企业级 SSD
UFS 5.0 内存
基片上带有逻辑处理的 HBM4 芯片
用于外部存储器的 CXL 结构
近内存处理 (PNM)、内存处理 (PIM) 和计算存储产品技术

所有这些都是 SK 海力士在面对 AI 工作负载对内存需求的持续大幅增长的情况下开发的。我们可以预期其竞争对手三星和美光也将开发类似容量的 HBM3e 技术。

SK海力士推出全球首款16层HBM3e

SK海力士于2017年11月推出全球首款16层HBM3E产品。4、展现其在高带宽内存（HBM）技术方面的领先地位。

SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 在首尔江南区 COEX 举行的 SK AI 峰会上发表主题演讲时推出了该产品。

今年2月，SK海力士在美国著名的国际固态电路会议（ISSCC）上发表了一篇关于16层HBM3E的论文，强调了该公司的前沿进展。上个月，它开始批量生产12层HBM3E产品，为推出更先进的16层版本奠定了基础。